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PMH1200UPEH
1个P沟道 耐压:30V 电流:520mA
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN0606 - 3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMH1200UPEH
- 商品编号
- C552954
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 520mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@4.5V,410mA | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个10000个/圆盘
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