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PMH1200UPEH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMH1200UPEH

1个P沟道 耐压:30V 电流:520mA

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描述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型DFN0606 - 3(SOT8001)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMH1200UPEH
商品编号
C552954
商品封装
DFN0606-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.0275克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)520mA
导通电阻(RDS(on))1.3Ω@4.5V
耗散功率(Pd)380mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))450mV
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)33pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型DFN0606 - 3(SOT8001)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 低阈值电压
  • 极快的开关速度
  • 沟槽MOSFET技术
  • 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
  • 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:0.62 × 0.62 × 0.37 mm

应用领域

-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF