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PMDT290UNEYL
2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDT290UNEYL
- 商品编号
- C552760
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 680pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 83pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装于超小扁平引脚 SOT666 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 沟槽 MOSFET 技术
- 高达 2 kV 的静电放电 (ESD) 保护
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路