PMDT670UPE,115
2个P沟道 耐压:20V 电流:550mA
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDT670UPE,115
- 商品编号
- C552761
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护高达2 kV
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路