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PMDPB80XP,115实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMDPB80XP,115

2个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMDPB80XP,115
商品编号
C552756
商品封装
DFN2020-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.7A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)485mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))600mV
栅极电荷量(Qg)5.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)550pF
反向传输电容(Crss)53pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管(FET),封装于小型无引脚超薄DFN2020-6(SOT1118)表面贴装器件(SMD)塑料封装中。

商品特性

  • 额定1.8 V RDSon,适用于低电压栅极驱动
  • 沟槽MOSFET技术
  • 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 × 2 × 0.65 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色

应用领域

  • 便携式设备充电开关
  • DC/DC转换器
  • 小型无刷直流电机驱动
  • 电池供电便携式设备的电源管理
  • 硬盘和计算机电源管理

数据手册PDF