PMDPB70XP,115
2个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管(FET),封装于小型无引脚超薄SOT1118表面贴装器件(SMD)塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB70XP,115
- 商品编号
- C552755
- 商品封装
- DFN2020-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@4.5V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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