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PMDPB70XP,115
2个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄SOT1118表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB70XP,115
- 商品编号
- C552755
- 商品封装
- DFN2020-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于小型无引脚超薄SOT1118表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 外露漏极焊盘,导热性能出色
应用领域
-便携式设备充电开关-电池供电便携式设备的电源管理-DC/DC转换器-硬盘和计算机电源管理-小型无刷直流电机驱动