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PMDPB58UPE,115
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMDPB58UPE,115
- 商品编号
- C552754
- 商品封装
- HUSON-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 515mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 804pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双小信号P沟道增强型场效应晶体管(FET)，封装为无引脚中功率DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 2 kV静电放电(ESD)保护
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路