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PMCXB1000UEZ
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:410mA 电流:590mA
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- 描述
- 互补N/P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCXB1000UEZ
- 商品编号
- C552748
- 商品封装
- DFN1010-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 590mA；410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@4.5V；1.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 285mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.05nC@4.5V；1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30.3pF；43.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF；4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.8pF；5.9pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的互补型N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010B - 6（SOT1216）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 适用于便携式应用的极低阈值电压:VGS(th) = 0.7 V
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 电平转换器
- 电池供电便携式设备的电源管理