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PMCXB900UELZ实物图
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PMCXB900UELZ

1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:600mA

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描述
互补N/P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMCXB900UELZ
商品编号
C552750
商品封装
SOT1216​
包装方式
编带
商品毛重
0.015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA
导通电阻(RDS(on))620mΩ@4.5V,600mA
耗散功率(Pd)265mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)700pC@4.5V
输入电容(Ciss)21.3pF@10V
反向传输电容(Crss)4.2pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

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