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PMCPB5530X,115
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 互补N/P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装在小型无引脚超薄DFN2020-6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMCPB5530X,115
- 商品编号
- C552747
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A；4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V；55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV；650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC@4.5V；8.1nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF；785pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF；53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF；63pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的互补型 N/P 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装于小型无引脚超薄 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
商品特性
- 开关速度极快
- 沟槽 MOSFET 技术
- 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 漏极焊盘外露,导热性能出色
应用领域
-便携式设备充电开关-直流-直流转换器-小型无刷直流电机驱动-电池供电便携式设备的电源管理-硬盘和计算机电源管理