CSICD10-650 TR13-HXY

CSICD10-650 TR13-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）低至50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在高电压、高频率条件下仍能保持较低损耗与稳定运行，适合用于电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的整流与续流功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CSICD10-650 TR13-HXY

商品编号

C53468120

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)