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NSG21867
自举工作的高压高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，集成保护电路，大电流脉冲输出，兼容低电平逻辑，可驱动N沟道高压功率器件
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG21867
- 商品编号
- C53436454
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.269836克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG21867是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压为700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
- Vs负压耐受能力达 -9V
- 栅极驱动电压：6.8V ~ 20V
- 高、低侧欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值5.5V
- 欠压锁定负向阈值5.0V
- 芯片开通/关断传输延时：Ton/Toff = 150ns/150ns
- 高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 4.0A/4.0A
- 符合RoHS标准
- SOP8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动程序