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NSG3021
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具独立高低侧参考输出通道，高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路，防直通保护
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG3021
- 商品编号
- C53436444
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3607克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG3021是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达650V。采用SOP8封装，可在-40℃~125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高芯片耐压为+650V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 集成VCC、VBS欠压锁定电路，VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V，VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 250ns/150ns，延迟匹配时间小于50ns
- 防止直通保护，死区时间130ns
- 宽温度范围-40℃~125℃
- 符合RoSH标准SOP8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动