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GG1000
快速高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，内置高压侧充电电路，适用于高频开关和静态开关应用
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- GG1000
- 商品编号
- C53436448
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.227848克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 9V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 功能特性 | 过压保护 |
商品概述
XJNG1000 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 700V 的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和 / 或关断时间的静态开关应用。XJNG1000 采用 SOP8 封装，可以在 -40℃ ~ 125℃ 温度范围内工作。
商品特性
- 宽工作 VIN：最高 700V
- 针对快速导通和关闭通道，具有 150ns 传输延迟
- 内置高压侧充电电路，可实现 100% 占空比
- 可调导通占空比
- 栅极驱动器电源电压为 9V 至 20V
- VIN 过压闭锁
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
- TS 负压耐受能力达 -9V
- 宽温度范围 -40°C ~ 125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力 290mA/600mA
- 符合 RoHS 标准 SOP8 (S)
应用领域
- 高边开关控制器
- 静态开关驱动器
- 负载和电源开关驱动器
- 电子阀驱动器
- 高频高压侧栅极驱动器
- 光伏关断器