温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG6002
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和自举二极管，可防止直通保护
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG6002
- 商品编号
- C53436447
- 商品封装
- SOP8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3503克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.1A | |
| 拉电流(IOH) | 600mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 50uA |
商品概述
NSG6002 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 650V。采用 SOP8 封装，可在 -40℃ ~ 125℃ 温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +650V
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
- dVS/dt 耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs 负偏压能力达 -9V
- 集成欠压锁定电路
- VCC 欠压锁定正向阈值 8.7V
- VCC 欠压锁定负向阈值 7.7V
- 芯片传输延时特性：高侧开通/关断传输延时 Ton/Toff = 680ns/140ns
- 芯片传输延时特性：低侧开通/关断传输延时 Ton/Toff = 150ns/130ns
- 防止直通保护：死区时间 540ns
- 宽温度范围 -40°C ~ 125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力 0.6A/1.1A
- 集成自举二极管
- 符合 RoHS 标准
- SOP8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动