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NSG6000R
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路和栅电阻，适用于MOS直接驱动
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG6000R
- 商品编号
- C53436445
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.336732克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺，使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40°C ~ 125°C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高芯片耐压为 +650V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs负偏压能力达 -9V
- 集成VCC、VBS欠压锁定电路——VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V，VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
- 内部集成栅电阻，适用于5A以内MOS
- 防止直通保护——死区时间540ns
- 宽温度范围 -40°C ~ 125°C
- 符合RoSHS标准SOP8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动