立创商城logo
购物车0
DE045NG-L实物图
  • DE045NG-L商品缩略图
  • DE045NG-L商品缩略图
  • DE045NG-L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DE045NG-L

N沟道 60V 20A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
N管/60V/20A/45MΩ/(典型35MΩ)
商品型号
DE045NG-L
商品编号
C53281949
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.355211克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

商品概述

该N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的R_DS(on)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • V_DS = 60V, I_D = 20A, R_DS(ON) < 44mΩ @ V_GS = 10V
  • 低栅极电荷
  • 提供环保型器件
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低R_DS(ON)
  • 优异的封装,散热性能良好

应用领域

  • 开关电源
  • 电机驱动
  • 电池保护电路
  • 负载开关
  • 照明系统

数据手册PDF