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DE180PG-B
P沟道 60V 10A
- 描述
- P管/60V/10A/200MΩ/(典型170MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DE180PG-B
- 商品编号
- C53281969
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.360976克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。它适用于多种应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -10A，RDS(on) < 200mΩ @ VGS = -10V（典型值：155mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(on)
- 封装优良，散热性能好