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DE016PG
P沟道 60V 75A
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- 描述
- P管/60V/75A/16MΩ/(典型12.5MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DE016PG
- 商品编号
- C53281974
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 274pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 331pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，提供优异的低导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。它适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS=-60V，漏极电流ID=-75A，在栅源电压VGS=-10V时，导通电阻RDS(ON)<16mΩ（典型值：13mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度SGT技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 优异的封装，散热性能良好
- 湿度敏感等级为MSL3