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DC7R5NG

N沟道 30V 60A

描述
N管/30V/60A/7.5MΩ/(典型6MΩ)
商品型号
DC7R5NG
商品编号
C53281942
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.52753克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)33W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)145pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)170pF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。它适用于多种应用。

商品特性

  • VDS = 30V, ID = 60A, RDS(ON) < 7.5 mΩ @ VGS = 10V (典型值:6 mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 提供绿色环保器件
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
  • 封装优良,散热性能好
  • MSL3

数据手册PDF