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DOD5521
N沟道+P沟道 100V 12A
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- 描述
- N+P管/100V/12A/120MΩ/(典型86MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD5521
- 商品编号
- C53281978
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3624克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- N沟道：VDS=100V，ID=12 A，RDS(ON)<120mΩ@VGS=10V
- RDS(ON)<140mΩ@VGS=4.5V
- P沟道：VDS=-100V，ID=-12A，RDS(ON)<200mΩ@VGS=-10V
- RDS(ON)<250mΩ@VGS=-4.5V
- 低栅极电荷。
- 提供绿色环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)。
- 封装优良，散热性能好。