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DB5R5N2G
N沟道 20V 60A
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- 描述
- N管/20V/60A/5.5MΩ/(典型4.2MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DB5R5N2G
- 商品编号
- C53281940
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.531434克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.862nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 224pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。可广泛应用于多种场合。
商品特性
- VDS=20V，ID=60A，在VGS=4.5V时RDS(ON)<5.5mΩ（典型值：4.2mΩ）
- 低栅极电荷。
- 提供绿色环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)。
- 封装优良，散热性能好。
- 湿度敏感等级为MSL3。