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DH100PG-C
P沟道 100V 20A
- 描述
- P管/100V/20A/100MΩ/(典型80MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DH100PG-C
- 商品编号
- C53281976
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3658克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.077nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的导通电阻和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -100V，ID = -20A，在VGS = -10V时，RDS(ON) < 100mΩ（典型值：80mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻
- 封装优良，散热性能好
- MSL3