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DE068PG-B
P沟道 60V 20A
- 描述
- P管/60V/20A/68MΩ/(典型51MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DE068PG-B
- 商品编号
- C53281970
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.452105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 560pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 725pF |
商品概述
该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压-60V，漏极电流-20A，在栅源电压-10V时导通电阻小于68mΩ（典型值：51mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 优异的封装，散热性能良好
- MSL3
应用领域
- 手机及配件
- 笔记本电脑
- 便携式仪器
- 工业控制
- 汽车电子