温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DD016PG
P沟道 40V 35A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/40V/35A/16MΩ/(典型11MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DD016PG
- 商品编号
- C53281966
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- VDS = -40 V, ID = -35 A, RDS(ON) < 16 mΩ @ VGS = -10 V
- 低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 封装设计优良，散热性能好