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DJ18NFG
N沟道 200V 18A
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- 描述
- 平面工艺/N管/200V/18A/150MΩ/(典型120MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DJ18NFG
- 商品编号
- C53281958
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.487775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的RDS(on)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 200 V, ID = 18 A, RDS(ON) < 150 mΩ @ VGS = 10 V (典型值: 120 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 封装优良，散热性能好
- MSL3