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DC006PG-B

P沟道 30V 70A

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描述
P管/30V/70A/6MΩ/(典型5MΩ)
商品型号
DC006PG-B
商品编号
C53281964
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.361克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)4.55nF
反向传输电容(Crss)480pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)525pF

商品概述

该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的Rds(on)和低栅极电荷。适用于多种应用。

商品特性

  • Vds = -30V,Id = -70A,在Vgs = -10V时,Rds(on) < 6 mΩ
  • 低栅极电荷
  • 提供绿色环保器件
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低Rds(on)
  • 封装优良,散热性能好

数据手册PDF