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DC025PG-B

P沟道 30V 30A

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描述
P管/30V/30A/25MΩ/(典型19MΩ)
商品型号
DC025PG-B
商品编号
C53281962
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.569266克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)31.3W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)135pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)150pF

商品概述

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。它适用于多种应用领域。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -30A,RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = -10V(典型值:19mΩ)
  • 低栅极电荷。
  • 提供环保型器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
  • 封装优良,散热性能好。
  • 湿度敏感等级为3级。

应用领域

  • 电源管理
  • 电机驱动
  • 负载开关
  • 电池保护电路

数据手册PDF