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DC033PG

P沟道 30V 25A

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描述
P管/30V/25A/33MΩ/(典型28MΩ)
商品型号
DC033PG
商品编号
C53281961
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3586克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.2nC@10V
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)100pF

商品概述

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻和低栅极电荷。它适用于广泛的应用领域。

商品特性

  • V_DS = -30 V, I_D = -25 A, R_DS(ON) < 35 mΩ @ V_GS = -10 V
  • 低栅极电荷。
  • 提供环保型器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻。
  • 优异的封装,散热性能良好。

数据手册PDF