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DE030NG-H

N沟道 60V 30A

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描述
N管/60V/30A/26MΩ/(典型17MΩ)
商品型号
DE030NG-H
商品编号
C53281950
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.525618克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.05nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)80pF

商品概述

该N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • V_DS=60V,I_D=30A,R_DS(ON)<30mΩ @ V_GS=10V
  • 低栅极电荷
  • 提供绿色环保器件
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
  • 封装优良,散热性能好

数据手册PDF