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DI300NG

N沟道 150V 7A

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描述
N管/150V/7A/290MΩ/(典型240MΩ)
商品型号
DI300NG
商品编号
C53281956
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.361克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@10V
耗散功率(Pd)36.8W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)26.2pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)32pF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。它适用于多种应用。

商品特性

  • VDS = 150V,ID = 7A,RDS(ON) < 300 mΩ @ VGS = 10V时(典型值:240 mΩ)
  • 低栅极电荷。
  • 提供环保型器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
  • 封装优良,散热性能好。
  • MSL3

数据手册PDF