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DJ05NG-A
N沟道 200V 5A
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- 描述
- 平面工艺/N管/200V/5A/600MΩ/(典型470MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DJ05NG-A
- 商品编号
- C53281957
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.1pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
该N沟道MOSFET采用先进的平面技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 200V， ID = 5A， RDS(ON) < 600mΩ @ VGS = 10V (典型值：470mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供绿色环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)。
- 优异的封装，散热性能好。
- MSL3。