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DE012NG-H
N沟道 60V 55A
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- 描述
- N管/60V/55A/12MΩ/(典型9MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DE012NG-H
- 商品编号
- C53281952
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
该N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 60V， ID = 55A， RDS(ON) < 12 mΩ @ VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 封装优良，散热性能好