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DH013NDG
N沟道 100V 75A
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- 描述
- N管/100V/75A/13MΩ/(典型10MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DH013NDG
- 商品编号
- C53281955
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 409pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以提供优异的导通电阻和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压为100V，漏极电流为75A，在栅源电压为10V时，导通电阻小于13mΩ（典型值：10mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保器件选项
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻
- 优异的封装，散热性能良好
- 湿度敏感等级为MSL3