NVMFS5C670NLT1G-HXY

NVMFS5C670NLT1G-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升，适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及大电流开关电路。器件在稳定工作条件下可支持频繁的开关操作，满足多种高功率电子系统的需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C670NLT1G-HXY

商品编号

C53262859

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.136克(g)