NVMFS5C645NWFT1G-HXY

NVMFS5C645NWFT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.7毫欧。如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流开关电源、高效DC-DC转换器、电池管理系统以及大功率电子负载等场景，在需要高效率与高可靠性运行的电路中表现出色。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C645NWFT1G-HXY

商品编号

C53262858

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)