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HSBA087N15
N沟道快速开关MOSFET，具备高单元密度、低栅极电荷和出色的Cdv/dt效应抑制能力
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA087N15
- 商品编号
- C53244065
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 695pF |
商品概述
HSBA087N5是最高性能的SGT N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷。该产品符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超级低栅极电荷
- 绿色器件可用
- 优秀的Cdv/dt效应衰减
- 先进的高单元密度SGT MOS技术