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HSBA0119
P沟道快速开关MOSFET，适用于高频开关和同步整流，采用先进高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0119
- 商品编号
- C53244070
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品特性
- 100% EAS 保证
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- DC/DC转换器