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HST011N10
N沟道快速开关MOSFET，适用于同步降压转换器应用
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HST011N10
- 商品编号
- C53244086
- 商品封装
- TOLT-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.0155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 141nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.043nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.487nF |
商品概述
HST011N10是一款高单元密度SGT N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷。该产品符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，并通过完整功能可靠性认证。
应用领域
- BLDC电机控制
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 电信和服务器电源
- 电池管理系统