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HSU4137
P沟道快速开关MOSFET，具备超低栅极电荷和先进沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU4137
- 商品编号
- C53244077
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.502nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
HSU4137 是一款采用高元胞密度沟槽技术的 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合 RoHS 和绿色产品要求，保证 100% 的单脉冲雪崩能量，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100% 单脉冲雪崩能量保证
- 提供绿色环保器件
- 优异的 CdV/dt 效应抑制能力
- 采用先进的高元胞密度沟槽技术