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HSY021N12A
HSY021N12A
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSY021N12A
- 商品编号
- C53244084
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8785克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.57nF |
商品概述
HSY021N12A采用SGT技术，提供优异的Rds(on)、低栅极电荷和快速开关特性。该器件适用于多种应用。
商品特性
- 低栅极电荷
- 100% UIS测试，100% DVDS测试
- 高功率和电流处理能力
- 产品符合无铅要求
应用领域
- DC/DC转换器