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HSY011N10
N沟道快速开关MOSFET，采用先进的高单元密度SGT MOS技术，超低导通电阻，100% EAS保证，有绿色环保器件可选
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSY011N10
- 商品编号
- C53244083
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 365A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.468nF |
商品特性
- 保证100%雪崩能量
- 提供环保型器件选项
- 极低的导通电阻
- 采用先进高单元密度屏蔽栅沟槽MOS技术
应用领域
- 电机驱动
- 不间断电源
- 电动工具
- 开关电源中的同步整流