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HSY012N10
N沟道快速开关MOSFET，采用先进高单元密度SGT MOS技术，超低导通电阻
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSY012N10
- 商品编号
- C53244082
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8946克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.72nF |
商品特性
- 100% EAS 保证
- 提供绿色器件
- 超低导通电阻
- 采用先进的高单元密度 SGT MOS 技术
应用领域
- 电机驱动器
- 不间断电源
- 电动工具
- 开关电源中的同步整流