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HSY010N04A
N沟道快速开关MOSFET，采用先进SGT技术，低栅极电荷，高电流能力，符合RoHS和无卤标准
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSY010N04A
- 商品编号
- C53244081
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 396A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 272W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.406nF |
商品概述
N沟道40V快速开关MOSFET，100%通过UIS测试。采用先进的SGT技术，具有低栅极电荷和高电流能力。符合RoHS和无卤素要求。
应用领域
- 开关电源同步整流
- 直流/直流转换器
- 电机控制
- 或门电路