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HSBA3482
双路非对称N沟道CMOS FET，采用先进SGT MOS技术，低导通电阻，100% EAS保证，有环保型号
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3482
- 商品编号
- C53244074
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A；58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W；25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V；26.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.859nF；882pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF；1.259nF |
商品特性
- 先进的SGT MOS技术
- 低RDS(ON)
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 桌面电脑的电源管理
- DC/DC转换器
- 电信和工业中的隔离式DC/DC转换器