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HSBA3454
双N沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽MOS技术，低栅极电荷和低导通电阻
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3454
- 商品编号
- C53244075
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1295克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.108nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 431pF |
商品特性
- 100% EAS 保证
- 提供绿色器件选项
- 低栅极电荷
- 低导通电阻 R_DS(on)
- 先进的沟槽 MOS 技术
应用领域
- 桌面计算机电源管理
- DC/DC 转换器及低边 5V 驱动