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HSBA3480
双路非对称N沟道CMOS FET，采用先进SGT MOS技术，低栅极电荷和导通电阻
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA3480
- 商品编号
- C53244073
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W；34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V；18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF；575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 368pF；265pF |
商品概述
该器件是一款30V双非对称N沟道MOSFET，采用先进SGT MOS技术，具备低导通电阻、高雪崩能量保证和低栅极电荷特性，提供绿色器件选项。
商品特性
- 先进SGT MOS技术
- 低栅极电荷
- 低RDS(ON)
- 100% EAS保证
- 提供绿色器件选项
应用领域
- 台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理
- 电信和工业中的隔离DC/DC转换器