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HSBA4315
双P沟道快速开关MOSFET，低栅极电荷，采用先进高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA4315
- 商品编号
- C53244072
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 222pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 323pF |
商品概述
HSBA4315是一款高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%的单脉冲雪崩能量，通过了全面的功能可靠性验证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100% 单脉冲雪崩能量保证
- 优异的CdV/dt效应抑制
- 提供绿色环保器件选项
- 采用先进的高单元密度沟槽技术