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HSBA6119
P沟道快速开关MOSFET，具备高单元密度SGT技术，低栅极电荷
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6119
- 商品编号
- C53244068
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.065nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 624pF |
商品概述
HSBA6119是一款高单元密度的SGT P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并保证100%的单脉冲雪崩能量，通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 保证100%单脉冲雪崩能量
- 提供绿色环保器件选项
- 优异的CdV/dt效应抑制能力
- 采用先进的高单元密度SGT MOS技术