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HSBA0117
P沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0117
- 商品编号
- C53244069
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.476nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
HSBA0117采用先进沟槽MOSFET技术，提供优异的RDS(ON)和栅极电荷特性，适用于广泛的应用领域。该产品符合RoHS和绿色产品要求，保证100% EAS，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 100% EAS保证
- 提供绿色器件
- 超低栅极电荷
- 优异的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术