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HSBA0072
N沟道快速开关MOSFET，采用先进高单元密度SGT MOS技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA0072
- 商品编号
- C53244014
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.995nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 796pF |
商品概述
N沟道100V快速开关MOSFET，采用先进的SGT MOS技术，具有高单元密度，可确保100%的雪崩能量，提供绿色环保器件选项，并具备出色的抗dV/dt能力。
商品特性
- 保证100%的雪崩能量
- 提供绿色环保器件选项
- 出色的抗dV/dt能力下降
- 采用先进的高单元密度SGT MOS技术
应用领域
- 无刷直流电机驱动器
- 电池管理系统
- 高频开关和同步整流